可以说在HomePod这款产品上，国网苹果的目的之一就是以音质来区别于其他同类型产品。
首创省级b.CNT/n-Ge结光镜图像（标尺：50μm）。专业f.考虑衬底掺杂浓度的接触电阻性能对比。
研究人员采用浮动催化化学气相沉积（FCCVD）方法，仓运册出收集了不同厚度的大面积CNT薄膜，仓运册出并将其转印至Ge衬底，随后构筑金属/碳纳米管/锗堆叠结构（图1）。以锗（Ge）基器件为例，营管尽管Ge具有明显高于硅的载流子迁移率，营管但对于金属/n-Ge界面处的费米能级几乎完全钉扎在Ge价带边缘附近，从而产生很大的肖特基势垒高度和接触电阻，为此，必须调制费米能级钉扎效应。三、理指炉核心创新点1）使用晶圆级CNT薄膜作为插入层调制金属/n-锗费米能级钉扎，在金属和轻掺杂n-Ge之间形成了欧姆接触和最小的接触电阻。
导手e.圆形传输线模型结构提取Al/CNT/Ge接触电阻。研究成果于2022年5月13日在《Small》在线发表，国网题为使用碳纳米管插层减弱金属/锗费米能级钉扎效应（Fermi-leveldepinninginmetal/Gejunctionsbyinsertingacarbonnanotubelayer）。
主要从事碳纳米管和二维材料等纳米电子器件研究，首创省级成果发表于Science、首创省级NatureNano.等学术期刊，入选2020年度中国半导体十大研究进展、2021中国光学领域二十大最具社会影响力事件等。
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